型号:

STD3NK80ZT4

RoHS:无铅 / 符合
制造商:STMicroelectronics描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
STD3NK80ZT4 PDF
其它有关文件 STD3NK80Z View All Specifications
产品目录绘图 ST Series DPAK
标准包装 1
系列 SuperMESH™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 4.5 欧姆 @ 1.25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 485pF @ 25V
功率 - 最大 70W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 标准包装
产品目录页面 1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-7968-6
相关参数
625M3I014M31818 CTS-Frequency Controls OSCILLATOR 14.31818 MHZ 1.8V SMD
STD3NK80ZT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
625M3I014M31818 CTS-Frequency Controls OSCILLATOR 14.31818 MHZ 1.8V SMD
STD3NK80ZT4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
625M3I014M31818 CTS-Frequency Controls OSCILLATOR 14.31818 MHZ 1.8V SMD
STD70N10F4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
ECS-3518-666-B-TR ECS Inc OSC 66.666 MHZ 1.8V SMD
STD70N10F4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
ECS-3518-666-B-TR ECS Inc OSC 66.666 MHZ 1.8V SMD
STD70N10F4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
ECS-3518-666-B-TR ECS Inc OSC 66.666 MHZ 1.8V SMD
ECS-3518-640-B-TR ECS Inc OSC 64.00 MHZ 1.8V SMD
FQB22P10TM Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
ECS-3518-640-B-TR ECS Inc OSC 64.00 MHZ 1.8V SMD
FQB22P10TM Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
FQB22P10TM Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
ECS-3518-640-B-TR ECS Inc OSC 64.00 MHZ 1.8V SMD
ECS-3518-800-B-TR ECS Inc OSC 80.00 MHZ 1.8V SMD
FDS2572 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
ECS-3518-800-B-TR ECS Inc OSC 80.00 MHZ 1.8V SMD